N-Kanal-Transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
8.12€
5-9
7.15€
10-14
6.50€
15-29
6.01€
30+
5.25€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 24

N-Kanal-Transistor 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 3400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): n/a. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kosten): 320pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (MOS VI). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK4108
28 Parameter
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.21 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16C1B
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
3400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Anwendungen von Schaltreglern
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kosten)
320pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
280 ns
Td(on)
130 ns
Technologie
Feldeffekttransistor, MOS-Typ (MOS VI)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1300 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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