N-Kanal-Transistor 2SK3936, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK3936, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
18.32€
5-9
17.69€
10-24
17.15€
25-49
16.48€
50+
15.94€
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N-Kanal-Transistor 2SK3936, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 4250pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltregler. G-S-Schutz: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 92A. Kanaltyp: N. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3936
28 Parameter
ID (T=25°C)
23A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.20 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
4250pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltregler
G-S-Schutz
ja
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
4 v
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
92A
Kanaltyp
N
Kosten)
420pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
80 ns
Td(on)
45 ns
Technologie
Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
380 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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