N-Kanal-Transistor 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
5.40€
5-9
4.73€
10-14
4.27€
15-29
3.95€
30+
3.51€
Menge auf Lager: 64

N-Kanal-Transistor 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 4250pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltregler. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3911. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1350 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3911
29 Parameter
ID (T=25°C)
20A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.22 Ohms
Gehäuse
TO-3PN
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16C1B
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
4250pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltregler
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3911
Kosten)
420pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
Td(off)
80 ns
Td(on)
45 ns
Technologie
Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1350 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba