N-Kanal-Transistor 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

N-Kanal-Transistor 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V

Menge
Stückpreis
1-4
5.63€
5-9
5.02€
10-24
4.60€
25-49
4.30€
50+
3.83€
Menge auf Lager: 24

N-Kanal-Transistor 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SC-67 ). Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2200pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3799. Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3799
29 Parameter
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
1 Ohm
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F ( SC-67 )
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2200pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3799
Kosten)
190pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Td(off)
120ns
Td(on)
65 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1700 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba