N-Kanal-Transistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92 - 2SK363
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.73€ | 6.82€ |
| 2 - 2 | 5.44€ | 6.47€ |
| 3 - 4 | 5.27€ | 6.27€ |
| 5 - 9 | 5.16€ | 6.14€ |
| 10 - 19 | 5.04€ | 6.00€ |
| 20 - 29 | 4.87€ | 5.80€ |
| 30+ | 4.70€ | 5.59€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.73€ | 6.82€ |
| 2 - 2 | 5.44€ | 6.47€ |
| 3 - 4 | 5.27€ | 6.27€ |
| 5 - 9 | 5.16€ | 6.14€ |
| 10 - 19 | 5.04€ | 6.00€ |
| 20 - 29 | 4.87€ | 5.80€ |
| 30+ | 4.70€ | 5.59€ |
N-Kanal-Transistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92 - 2SK363. N-Kanal-Transistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. IDSS: 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. C(in): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Transistortyp: MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). G-S-Schutz: ja. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.
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