N-Kanal-Transistor 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1050pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3561. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31