N-Kanal-Transistor 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Menge
Stückpreis
1-2
9.18€
3-5
8.42€
6-7
7.85€
8-9
7.37€
10+
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N-Kanal-Transistor 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. ID (T=25°C): 21A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2280pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 84A. Kanaltyp: N. Kosten): 290pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 0.7us. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

2SK3528-01R
29 Parameter
ID (T=25°C)
21A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.29 Ohms
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PF
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2280pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
84A
Kanaltyp
N
Kosten)
290pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Td(off)
78 ns
Td(on)
26 ns
Technologie
Super FAP-G Series POWER MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
0.7us
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric