N-Kanal-Transistor 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V

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N-Kanal-Transistor 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F-3L. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 650pF. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 2us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Äquivalente: FS5KM-10-AW. Originalprodukt vom Hersteller: Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3199
26 Parameter
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO220F-3L
Spannung Vds(max)
500V
C(in)
650pF
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kosten)
250pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
60 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
V-MOS (F)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
2us
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Äquivalente
FS5KM-10-AW
Originalprodukt vom Hersteller
Sanken

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