N-Kanal-Transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.16€
5-24
3.68€
25-49
3.32€
50-99
3.09€
100+
2.99€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 4

N-Kanal-Transistor 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 550pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: POWER-Schalt-MOSFET, industrielle Verwendung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kosten): 115pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1.3us. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3114
27 Parameter
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.6 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
550pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
POWER-Schalt-MOSFET, industrielle Verwendung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) min.
2.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kosten)
115pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
35 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
MOSFET-Transistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1.3us
Originalprodukt vom Hersteller
Nec

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 2SK3114