Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.77€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.71€ | 0.84€ |
25 - 49 | 0.69€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.68€ | 0.81€ |
100 - 140 | 0.65€ | 0.77€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.77€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.71€ | 0.84€ |
25 - 49 | 0.69€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.68€ | 0.81€ |
100 - 140 | 0.65€ | 0.77€ |
N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V - 2SK3065. N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 160pF. Kosten): 85pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 8A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KE. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KE. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.
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