N-Kanal-Transistor 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

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5-9
9.12€
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N-Kanal-Transistor 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.87 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. Betriebstemperatur: -...+150°. C(in): 950pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 140pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 900ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2850
27 Parameter
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
200uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.87 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
900V
Betriebstemperatur
-...+150°
C(in)
950pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kosten)
140pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Td(off)
110 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
TT-MOSV
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
900ns
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric

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