N-Kanal-Transistor 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2717. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31