N-Kanal-Transistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.19 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 450pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2647. Kosten): 75pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31