N-Kanal-Transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

N-Kanal-Transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Menge
Stückpreis
1-4
2.99€
5-24
2.60€
25-49
2.43€
50+
2.26€
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N-Kanal-Transistor 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 50V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 900pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Yfs--8-16S. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 75A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2507. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (L2-TT-MOSV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2507
30 Parameter
ID (T=25°C)
25A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.046 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
50V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
900pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Yfs--8-16S
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
75A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2507
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
110 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
Feldeffekt-MOS-Typ (L2-TT-MOSV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba