N-Kanal-Transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.87€
5-24
1.59€
25-49
1.42€
50+
1.30€
Menge auf Lager: 19

N-Kanal-Transistor 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. C(in): 1100pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Autoelektronik. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 108A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2314. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Leistungs-Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2314
29 Parameter
ID (T=25°C)
27A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.09 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-50...+150°C
C(in)
1100pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Autoelektronik
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
108A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2314
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
ESD Protected--2000V min
Td(off)
140us
Td(on)
30us
Technologie
Leistungs-Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
155 ns
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba