N-Kanal-Transistor 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 690pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: High-Speed. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1450 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03