N-Kanal-Transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

N-Kanal-Transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Menge
Stückpreis
1-2
19.07€
3-4
18.16€
5-9
16.01€
10+
14.84€
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N-Kanal-Transistor 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-3PN 13-16A1A. Spannung Vds(max): 1400V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochspannungsschalten. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Germaniumdiode: nein. IDss (min): -. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

2SK1271
26 Parameter
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
4 Ohms
Gehäuse
TO-3PN 13-16A1A
Spannung Vds(max)
1400V
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
1800pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochspannungsschalten
Gate/Source-Spannung (aus) max.
3.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
1.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Germaniumdiode
nein
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kosten)
500pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
240W
Td(off)
220 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
MOSFET-Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1400 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nec