Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MOSFET-Transistor SP8M3

MOSFET-Transistor SP8M3
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MOSFET-Transistor SP8M3. MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Originalprodukt vom Hersteller ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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