MOSFET-Transistor SK85MH10
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MOSFET-Transistor SK85MH10. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 570 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9100pF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 80A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: Modul. Herstellerkennzeichnung: SK85MH10. Komponentenfamilie: Voll-MOSFET-Brücke, NMOS. Konfiguration: verschraubt. Maximale Temperatur: +125°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: -. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06
SK85MH10
15 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
570 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
9100pF
Drain-Source-Spannung Uds [V]
100V
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
80A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0135 Ohms @ 80A
Einschaltzeit ton [nsec.]
120ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3.3V
Gehäuse
Modul
Herstellerkennzeichnung
SK85MH10
Komponentenfamilie
Voll-MOSFET-Brücke, NMOS
Konfiguration
verschraubt
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Semikron