MOSFET-Transistor HGTG40N60B3

MOSFET-Transistor HGTG40N60B3. MOSFET-Transistor. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.