MOSFET-Transistor HGTG30N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Kanaltyp: N-P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.45V. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19