MOSFET-Transistor FDS8958B. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 760pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N-P. Kosten): 155pF. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41