Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor FDS8958A

MOSFET-Transistor FDS8958A
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MOSFET-Transistor FDS8958A. MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 19:25.

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MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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MOSFET-Transistor. C(in): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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MOSFET-Transistor. C(in): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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