MOSFET-Transistor AP4506GEH. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Hinweis: Vdss 30V (N), -30V (P). Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 11/12/2025, 02:24