MOSFET-Transistor AOP605. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P605. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/12/2025, 00:34