Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42
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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42. NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: 1D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 02:25.

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NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Äquivalente: KSP42. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA92. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V
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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärker, SMD-Version von MPSA42. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) SMBTA92. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: s1D. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code S1D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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