Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MMBTA42

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MMBTA42. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: 1D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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