Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - MMBT4403LT1G

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NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - MMBT4403LT1G. NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2T. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.

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