IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Leistungs-MOSFET, 500V Drain-Source, 32A Drainstrom, TO-247AD Gehäus

Technische Produktbeschreibung (IXFH32N50):

Dieser IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung (Vds) von 500V und einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von 32A bei 25°C. Sein Einschaltwiderstand (Rds On) beträgt 0,15 Ohm. Das Bauteil ist in einem TO-247AD Gehäuse untergebracht und für die Durchsteckmontage auf Leiterplatten geeignet. Es arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist RoHS-konform. Zu den Hauptspezifikationen gehören eine Verlustleistung (Pd) von 360W, eine Gate-Source-Spannung (Vgs) von 20V und eine Einschaltverzögerungszeit (Td(on)) von 35 ns. Es bietet Drain-Source-Schutz.