Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFZ34N. C(in): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.

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