Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

IRFP4242

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IRFP4242. C(in): 7370pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 430W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.049 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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