IRFL4105PBF

IRFL4105PBF. RoHS: ja. C(in): 660pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.