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Halbleiter Transistoren

IRF7319

IRF7319

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IRF7319. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.

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