N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z

N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z. N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 01:25.