International Rectifier IRFB23N15D N-Kanal HEXFET Power MOSFET 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Technische Produktbeschreibung (IRFB23N15D):

Spannung Vds(max): 150V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Durchgangswiderstand Rds On: 0.09 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220AB. Gehäuse: TO-220. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz DC-DC Wandler. Technologie: HEXFET Power MOSFET. G-S Schutz: nein. Td(off): 18 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 10 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 92A. Markierung auf dem Gehäuse: B23N15D. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diode (Min.): 150 ns. Maximale Verlustleistung: 136W. Verpackung: Kunststoffrohr. Drain-Source Schutz: Zenerdiode. Gate/Source Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5.5V. Verpackungseinheit: 50.