International Rectifier IRF450 N-Kanal HEXFET Power MOSFET 500V 12A 0.4 Ohm TO-3

Technische Produktbeschreibung (IRF450):

Spannung Vds(max): 500V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 12A. Id (T=100°C): 7.75A. Durchgangswiderstand Rds On: 0.4 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3 (TO-204A). Gehäuse: TO-3 (TO-204). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 2. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. Technologie: HEXFET Power MOSFET Transistor. G-S Schutz: nein. Td(off): 170 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 35 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 48A. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Maximale Verlustleistung: 150W. Drain-Source Schutz: Zenerdiode. Gate/Source Spannung Vgs: 20V.