IGBT-Modul SKM40GD123D. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. Anzahl der Terminals: 17. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 1600pF. CE-Diode: ja. Funktion: 3 CH. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Gehäuse: andere. Germaniumdiode: nein. Gewicht: 170g. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Kanaltyp: N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kollektorstrom: 40A. Kosten): 260pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Td(off): 400 ns. Td(on): 70 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40