IGBT-Modul SKM40GD123D

IGBT-Modul SKM40GD123D. IGBT-Modul. C(in): 1600pF. Kosten): 260pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 3 CH. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Anzahl der Terminals: 17. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Gewicht: 170g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 400 ns. Td(on): 70 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt vom Hersteller Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 11:25.