N-Kanal-Transistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324

N-Kanal-Transistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324. N-Kanal-Transistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 24V. C(in): 5790pF. Kosten): 3440pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 46 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1412A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 20:25.