N-Kanal-Transistor, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - BS170

N-Kanal-Transistor, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - BS170. N-Kanal-Transistor, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. IDSS (max): 10nA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 24pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS170. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, Kleine Signale. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 25/04/2025, 06:25.