Fuji Electric 2SK2647 N-Kanal MOSFET, 800V, 4A, 3.19 Ohm, TO-220F15 Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2647):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 800V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 200uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 4A. Dauer-Drainstrom Id (T=100°C): 4A. Durchlasswiderstand Rds(On): 3.19 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F15. Gehäuse: TO-220. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source-Schutz: Nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 50 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss(min): 10uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 20 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 16A. Gehäusemarkierung: K2647. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 3.5V. Eingangskapazität C(in): 450pF. Ausgangskapazität C(out): 75pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 450 ns. Maximale Verlustleistung: 40W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatur: +150°C.