Fuji Electric 2SK1217 N-Kanal MOSFET 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Technische Produktbeschreibung (2SK1217):

Spannung Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Durchlasswiderstand Rds(on): 1.5 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3PF. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Geringe Ansteuerleistung, Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: V-MOS. G-S Schutz: nein. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.