Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.73€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.69€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.64€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.56€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.73€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.69€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.64€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.56€ |
FDS8958B. C(in): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.
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