FDD8447L

FDD8447L. C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD8447L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 18:25.