FDD770N15A

FDD770N15A. C(in): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: High performance trench technology. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 56.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 61m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.