Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V

Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V

Menge
Stückpreis
1-4
0.21€
5-49
0.18€
50-99
0.15€
100-199
0.14€
200+
0.12€
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Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dioden-Tff (25 °C): 25 ns. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1D. Ifsm [A]: 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1D. Komponentenfamilie: schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns), SMD-Montage. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2uA...50uA. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 35 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 0.875V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MURS120T3G
31 Parameter
Gehäuse
DO-214
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-214AA
Vorwärtsstrom (AV)
1A
IFSM
40A
Vorwärtsstrom [A]
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm )
VRRM
200V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Dioden-Tff (25 °C)
25 ns
Durchlassspannung Vf (min)
0.71V
Funktion
Ultrafast Power Rectifiers
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck/CMS-Code U1D
Ifsm [A]
40A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
U1D
Komponentenfamilie
schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns), SMD-Montage
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
2uA...50uA
MRT (maximal)
50uA
MRT (min)
2uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
35 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
200V
Schwellenspannung Vf (max)
0.875V
Trr-Diode (Min.)
35 ns
[V]
0.875V @ 1A
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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