Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U860. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43