Diode MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A
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Diode MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A. Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Vorwärtsstrom [A]: 2 X 3A. Anzahl der Terminals: 3. Ifsm [A]: 75A. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.1mA..15mA. Maximale Temperatur: +175°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 50V. [V]: 0.7V @ 3A. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:31
MBRD650CTT4G
13 Parameter
Gehäuse
D-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Vorwärtsstrom [A]
2 X 3A
Anzahl der Terminals
3
Ifsm [A]
75A
Komponentenfamilie
Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
0.1mA..15mA
Maximale Temperatur
+175°C.
RoHS
ja
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
50V
[V]
0.7V @ 3A
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi