Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V

Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0798€
50-99
0.0675€
100+
0.0610€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 39
Minimum: 10

Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Äquivalente: HER103G. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:35

Technische Dokumentation (PDF)
HER103
20 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
1A
IFSM
30A
Gehäuse
DO-41
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-41
VRRM
200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
25pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Funktion
hocheffiziente Gleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
MRT (maximal)
100uA
MRT (min)
5uA
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Schwellenspannung Vf (max)
1V
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Äquivalente
HER103G
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor
Mindestmenge
10

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