Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V

Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
0.36€
5-24
0.32€
25-49
0.28€
50-99
0.25€
100+
0.21€
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Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 100pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:35

Technische Dokumentation (PDF)
FR607
20 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
6A
IFSM
200A
Gehäuse
DO-201
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
100pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.2V
Halbleitermaterial
Silizium
MRT (maximal)
200uA
MRT (min)
10uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.2V
Spec info
IFSM--200Ap/8.3mS
Trr-Diode (Min.)
500 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor

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