Diode DSEI60-06A, TO-247, TO-247AD, 60A, 60A, 550A, TO-247AD, 600V

Diode DSEI60-06A, TO-247, TO-247AD, 60A, 60A, 550A, TO-247AD, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
9.55€
5-14
8.82€
15-29
8.39€
30-59
7.93€
60+
7.20€
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Diode DSEI60-06A, TO-247, TO-247AD, 60A, 60A, 550A, TO-247AD, 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AD. Vorwärtsstrom [A]: 60A. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 550A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Gewicht: 5.6g. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 600A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 200uA..14mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 166W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Spec info: 480Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 35 ns. [V]: 2.55V @ 60A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI60-06A
34 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AD
Vorwärtsstrom [A]
60A
Vorwärtsstrom (AV)
60A
IFSM
550A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.5V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Gewicht
5.6g
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
600A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
200uA..14mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
166W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
50 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
600V
Schwellenspannung Vf (max)
1.8V
Spec info
480Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
35 ns
[V]
2.55V @ 60A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS