Diode DSEI2X30-12B, SOT-227B (ISOTOP), 2x28A

Diode DSEI2X30-12B, SOT-227B (ISOTOP), 2x28A

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Diode DSEI2X30-12B, SOT-227B (ISOTOP), 2x28A. Gehäuse: SOT-227B (ISOTOP). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 2x28A. Anzahl der Terminals: 4. Ifsm [A]: 210A. Komponentenfamilie: Silizium-Gleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.75mA..7mA. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 60 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1.2 kV. [V]: 2.55V @ 30A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:49

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI2X30-12B
13 Parameter
Gehäuse
SOT-227B (ISOTOP)
Vorwärtsstrom [A]
2x28A
Anzahl der Terminals
4
Ifsm [A]
210A
Komponentenfamilie
Silizium-Gleichrichterdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
0.75mA..7mA
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
60 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1.2 kV
[V]
2.55V @ 30A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS